Использование драйвера ключей нижнего и верхнего уровней IR2. Geektimes. Быть может, после прочтения этой статьи вам не придтся ставить такие же по размерам радиаторы на транзисторы. Перевод этой статьи. Небольшое обращение от переводчика Во первых, в данном переводе могут быть серьзные проблемы с переводом терминов, я не занимался электротехникой и схемотехникой достаточно, но вс же что то знаю также я пытался перевести вс максимально понятно, поэтому не использовал такие понятия, как бутсрепный, МОП транзистор и т. Во вторых, если орфографически сейчас уже сложно сделать ошибку хвала текстовым процессорам с указанием ошибок, то ошибку в пунктуации сделать довольно таки просто. Обычно это выглядит так берм двигатель берм компоненты подсоединяем компоненты и двигатель. Если ничто не ограничивает, то можно использовать для полного моста p канальные и n канальные транзисторы, но если двигатель достаточно мощный, то p канальные транзисторы придтся сначала обвешивать большим количеством радиаторов, потом добавлять кулеры, ну а если совсем их жалко выкидывать, то можно попробовать и другие виды охлаждения, либо просто использовать в схеме лишь n канальные транзисторы. Но с n канальными транзисторами есть небольшая проблема открыть их по хорошему подчас бывает довольно сложно. Поэтому я искал что нибудь, что мне поможет с составлением правильной схемы, и я нашл статью в блоге одного молодого человека, которого зовут Syed Tahmid Mahbub. Этой статьй я и решил поделится. Также во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи как и верхнего, так и нижнего уровней. Для однотактных схем сгодится думаю, даже не смотря на завышеную цену. Применение Драйверов Ir4427 В Схемах' title='Применение Драйверов Ir4427 В Схемах' />Например, в мостовых схемах. В неполных мостовых схемах у нас есть 1 MOSFET верхнего уровня и 1 MOSFET нижнего уровня. В полных мостовых схемах мы имеем 2 MOSFETа верхнего уровня и 2 MOSFETа нижнего уровня. В таких ситуациях нам понадобится использовать драйвера как высокого, так и низкого уровней вместе. Наиболее распространнным способом управления полевыми транзисторами в таких случаях является использование драйвера ключей нижнего и верхнего уровней для MOSFET. Применение Драйверов Ir4427 В Схемах' title='Применение Драйверов Ir4427 В Схемах' />Несомненно, самым популярным микросхемой драйвером является IR2. И в этой статьеучебнике я буду говорить о именно о нм. Мостовые драйверы для схем управления 3фазным мостовым инвертором. Выходы в фазе с входами. В неполных мостовых схемах у нас есть 1 MOSFET верхнего уровня и. IR4426IR4427IR4428драйвер низковольтных, быстродействующих МОПтранзисторов и IGBTтранзисторов. Собственная стойкая к защелкиванию. Приборов, попытки создания простой и недорогой схемы управления мощными. Распределение семейств микросхем драйверов Texas Instruments в. Двухканальный. Двухканальный. Драйверы MOSFET и IGBTтранзисторов предназначены для управления. Выходной ток 2,33,3 А. Выходной ток 2,33,3 А. В таблице 1 представлены основные типы драй. Характеристики и особенности применения драйверов МОSFЕТ и IGВТ. В настоящее время ряд фирм. Вы можете загрузить документацию для IR2. IR. Вот ссылка для загрузки http www. Давайте для начала взглянем на блок схему, а также описание и расположение контактов Рисунок 1 Функциональная блок схема IR2. Рисунок 2 Распиновка IR2. Рисунок 3 Описание пинов IR2. Также стоит упомянуть, что IR2. PDIP для выводного монтажа и 1. SOIC для поверхностного монтажа. Теперь поговорим о различных контактах. VCC это питание нижнего уровня, должно быть между 1. В и 2. 0В. VDD это логическое питание для IR2. В и 2. 0В по отношению к VSS. Фактическое напряжение, которое вы выберете для использования, зависит от уровня напряжения входных сигналов. Вот график Рисунок 4 Зависимость логической 1 от питания. Обычно используется VDD равное 5. В. При VDD 5. В, входной порог логической 1 немного выше, чем 3. В. Таким образом, когда напряжение VDD 5. В, IR2. 11. 0 может быть использован для управления нагрузкой, когда вход 1 выше, чем 3 сколько то вольт. Это означает, что IR2. В. Когда вы используете микроконтроллеры, выходное напряжение будет выше, чем 4. В ведь микроконтроллер довольно часто имеет VDD 5. В. Когда используется SG3. TL4. 94 или другой ШИМ контроллер, то, вероятно, придтся их запитывать напряжением большим, чем 1. В, значит на выходах будет больше, чем 8. В, при логической единице. Таким образом, IR2. Вы также можете снизить VDD примерно до 4. В, если используете микроконтроллер или любой чип, который дат на выходе 3. В например, ds. PIC3. При проектировании схем с IR2. VDD у IR2. 11. 0 был выбран менее 4. В. Поэтому я не рекомендую использовать VDD ниже 4. В. В большинстве моих схем уровни сигнала не имеют напряжение меньше, чем 4. В как 1, и поэтому я использую VDD 5. V. Если по каким либо причинам в схеме уровень сигнала логической 1 имеет напряжение меньшее, чем 3. В, то вам нужно использовать преобразователь уровнейтранслятор уровней, он будет поднимать напряжение до приемлемых пределов. В таких ситуациях я рекомендую повышение до 4. В или 5. В и использование у IR2. VDD 5. В. Теперь давайте поговорим о VSS и COM. VSS это земля для логики. COM это возврат низкого уровня в основном, заземление низкого уровня драйвера. Это может выглядеть так, что они являются независимыми, и можно подумать что, пожалуй, было бы возможно изолировать выходы драйвера и сигнальную логику драйвера. Тем не менее, это было бы неправильно. Несмотря на то что внутренне они не связаны, IR2. VSS и COM должны быть оба подключены к земле. HIN и LIN это логические входы. Высокий сигнал на HIN означает, что мы хотим управлять верхним ключом, то есть на HO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал на HIN означает, что мы хотим отключить MOSFET верхнего уровня, то есть на HO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в HO, высокий или низкий, считается не по отношению к земле, а по отношению к VS. Мы скоро увидим, как усилительные схемы диод конденсатор, используя VCC, VB и VS, обеспечивают плавающее питания для управления MOSFETом. VS это плавающий возврат питания. При высоком уровне, уровень на HO равен уровню на VB, по отношению к VS. При низком уровне, уровень на HO равнен VS, по отношению к VS, фактически нулю. Высокий сигнал LIN означает, что мы хотим управлять нижним ключом, то есть на LO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал LIN означает, что мы хотим отключить MOSFET нижнего уровня, то есть на LO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в LO считается относительно земли. Когда сигнал высокий, уровень в LO такой же как и в VCC, относительно VSS, фактически земля. Когда сигнал низкий, уровень в LO такой же как и в VSS, относительно VSS, фактически нуль. SD используется в качестве контроля останова. Когда уровень низкий, IR2. Когда этот вывод является высоким, выходы выключены, отключая управление IR2. Теперь давайте взглянем на частые конфигурации с IR2. MOSFETами как верхних и нижних ключей на полумостовые схемы. Рисунок 5 Базовая схема на IR2. D1, C1 и C2 совместно с IR2. Когда LIN 1 и Q2 включен, то C1 и С2 заряжаются до уровня VB, так как один диод расположен ниже VCC. Когда LIN 0 и HIN 1, заряд на C1 и С2 используется для добавления дополнительного напряжения, VB в данном случае, выше уровня источника Q1 для управления Q1 в конфигурации верхнего ключа. Достаточно большая мкость должна быть выбрана у C1 для того чтобы е хватило для обеспечения необходимого заряда для Q1, чтобы Q1 был включн вс это время. C1 также не должен иметь слишком большую мкость, так как процесс заряда будет проходить долго и уровень напряжения не будет увеличиваться в достаточной степени чтобы сохранить MOSFET включнным. Презентация О Городе Кургане тут. Чем большее время требуется во включнном состоянии, тем большая требуется мкость. Таким образом меньшая частота требует большую мкость C1. Больший коэффициент заполнения требует большую мкость C1. Конечно есть формулы для расчта мкости, но для этого нужно знать множество параметров, а некоторые из них мы может не знать, например ток утечки конденсатора. Поэтому я просто оценил примерную мкость. Для низких частот, таких как 5. Гц, я использую мкость от 4. Ф до 6. 8мк. Ф. Для высоких частот, таких как 3. Гц, я использую мкость от 4.